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我国集成电路核心装备研发取得重大突破
http://www.zgbfw.com 来源:新华网 日期:2006-9-30 访问:

    国家863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”28日在北京宣布通过科技部与北京市组织的项目验收,这标志着我国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。   

    科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说,这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功,让我国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。   

    我国集成电路制造业的发展同时还为集成电路制造装备创造了可观的市场空间。据预测,到2010年,我国集成电路产业投资累计将达到3500亿元,其中大部分将用于集成电路制造装备投资。这一趋势使我国市场正在成为全球集成电路制造装备业争胜的焦点。   
 
    据了解,“十五”期间,科技部在863计划中设立了集成电路制造装备重大专项,重点研制集成电路制造装备的部分核心装备。由北京市组织北京北方微电子公司和北京中科信公司实施“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”项目,完成了产品研制,在大生产线上,完全按照国际化验收标准,进行了近一年的检验考核。考核测试结论表明,这两种装备的各项技术指标达到国际同类130纳米—100纳米生产设备标准。更为重要的是,这两种装备的技术水平基本与我国集成电路制造业主流技术水平更新同步,使未来2至3年我国集成电路制造业从180纳米向130纳米和90纳米升级时可以使用上国产装备,对我国集成电路制造装备的自主创新能力和核心竞争力具有重要的战略意义。

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